RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
68
69
Intorno -1% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
68
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
1904
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link