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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Confronto
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,021.5
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
47
Intorno -96% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR5
Latenza in PassMark, ns
47
24
Velocità di lettura, GB/s
3,575.4
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,021.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
563
3480
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB Confronto tra le RAM
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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