RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
69
85
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
85
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
1118
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link