RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
85
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1118
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link