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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
58
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
23
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
3011
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
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DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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