Confronto tra le RAM Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

48 65

Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.3 2,451.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 6400

Intorno 4 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

878 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns