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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.5
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 65
    周辺 -35% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 2,451.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 2196

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