RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
60
Intorno -107% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
29
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3754
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link