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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
65
Intorno -171% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
24
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2915
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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