RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kllisre D4 8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kllisre D4 8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre D4 8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
65
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
47
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2143
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kllisre D4 8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link