RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Confronto
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
52
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,906.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
31
Velocità di lettura, GB/s
4,672.4
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,906.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
698
2951
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link