RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2951
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link