RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2951
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link