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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3019
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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