RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
2,594.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
77
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
77
46
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
5,520.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
2,594.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
INTENSO 5641160 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link