RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
77
Intorno -267% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
21
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3305
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link