RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
77
Intorno -196% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
26
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3596
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link