RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2773
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link