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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
77
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
34
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2588
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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