RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
77
Intorno -250% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
22
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2902
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link