RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2920
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link