Confronto tra le RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.4 12.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.1 6.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 17000

Intorno 1.13% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 25

Intorno -4% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3419 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns