Porównanie pamięci RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Wynik ogólny

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.4 12.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.1 6.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 25

Wokół strony -4% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3419 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns