RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2920
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link