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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
17.6
16.5
写入速度,GB/s
12.0
11.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2920
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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