RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
33
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
22
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2682
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link