RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2682
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link