Confronto tra le RAM Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 74

Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.6 14.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.6 7.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2409 1779

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns