Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

総合得点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

バグを報告する

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 28

周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.3 12.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.2 7.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 8500

周辺 2.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 27
読み出し速度、GB/s

12.7 15.3
書き込み速度、GB/秒

7.5 11.2
メモリ帯域幅、mbps

8500 21300

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1988 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB