RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
12.7
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2327
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link