RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
10.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2327
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link