RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3211
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link