RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
35
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
23
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3195
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link