RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
40
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
40
Velocità di lettura, GB/s
11.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2965
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link