Confronto tra le RAM Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 37

Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

10.9 9.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.1 7.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 14200

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2272 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns