Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Причины выбрать
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 37

Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.9 9.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 7.7

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 14200

Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 37
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 9.5
Скорость записи, Гб/сек

9.1 7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 17000

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2272 1949

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9905712-008.A00G 16GB

Kingston 9905712-008.A00G 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM