RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
10.1
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3905
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link