Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 49

Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.8 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 23
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 18.5
Скорость записи, Гб/сек

7.8 17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3905

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

модули RAM