RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
104
Intorno -154% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
41
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link