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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3593
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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