RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2619
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link