RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
104
Intorno -259% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
29
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
4072
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link