RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
19.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
104
Intorno -395% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
21
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
4293
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link