RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
104
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
46
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2368
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link