RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
104
Intorno -333% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
24
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2462
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link