Confronto tra le RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Motivi da considerare
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

68 104

Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.1 2,404.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

786 1812

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns