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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
104
Intorno -131% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
45
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
5.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1535
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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