RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
104
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
53
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2366
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link