RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
104
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
62
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1891
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link