Confronto tra le RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Punteggio complessivo

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

1,643.2 1,433.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

6400 5300

Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

66 70

Intorno -6% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

454 462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns