Comparação RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

1,643.2 1,433.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

6400 5300

Por volta de 1.21% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

66 70

Por volta de -6% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

454 462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns